ობიექტები, სადაც ავტორები არიან "Bibilashvili, A."

დონით მაღლა
ექსპორტი [feed] Atom [feed] RSS 1.0 [feed] RSS 2.0
დაჯგუფება: ობიექტის ტიპი | დაჯგუფების გარეშე
ობიექტების რაოდენობა: 6.

სტატია

Tavkhelidze, A. N. და Bibilashvili, A. და Jangidze, L. და Billenberg , B. და Rampfer, G. F. (2007) Quantum interference depression in thin metal films with nanostructured surfaces. Nanotechnology Perceptions, 4. С. 25-28.

Tavkhelidze, A. და Bibilashvili, A. და Jangidze, L. და Billenberg , B. და Rampfer, G. F. (2007) Quantum interference depression in thin metal films with nanostructured surfaces. Nanotechnology Perceptions, 4. С. 25-28.

Tavkhelidze, A. და Bibilashvili, A. და Jangidze, L. და Shimkunas, A. და Maugher, P. და Rampfer, G. F. და Almaraz, L. და Kordesch, M. E. და Katan, N. და Wlitzki, H. (2006) Observation of quantum interference effect in solids. J. Vac. Sci. Technol. B, 24. р. 1413.

სემინარის ან კონფერენციის მოხსენება

Tavkhelidze, A. და Taliashvili, Z. და Bibilashvili, A. და Tsakadze, L. და Jangidze, L. და Skhiladze, G. და Cox, I და Magdych, J. (2004) Thermal Management Solutions Using Electron Tunneling Through a Nano‐Scale Vacuum Gap. In: AIP Conf. Proc. Volume 699.

Tavkhelidze, A. და Skhiladze, G. და Bibilashvili, A. და Tsakadze, L. და Jangidze, L. და Taliashvili, Z. და Cox, I. და Berishvili, Z. (2002) Electron Tunneling Through Large Area Vacuum Gap -- Preliminary Results. In: Thermoelectrics, 2002. Proceedings ICT '02. Twenty-First International Conference on.

პატენტი

Tavkhelidze A., Bibilashvili A, Cox R. T. (2012) Method for modification of built in potential of diodes. US 8,330,192.

ეს სია შეიქმნა: Thu Mar 28 18:51:47 2024 PDT.