Tavkhelidze A., Bibilashvili A, Cox R. T. (2012) Method for modification of built in potential of diodes. US 8,330,192.
![[img]](http://eprints.iliauni.edu.ge/style/images/fileicons/text.png) |
ტექსტი
US8330192.pdf Restricted to მხოლოდ რეგისტრირებული მომხმარებლებისთვის Download (65kB) | ასლის შეკვეთა |
|
|
ტექსტი
Pages from US8330192 (1).pdf Download (15kB) | გადახედვა |
რეზიუმე
In broad terms the present invention is a semiconductor junction comprising a first material (102) and a second material (104), in which a surface of one or both of the junction materials has a periodically repeating structure that causes electron wave interference resulting in a change in the way electron energy levels within the junction are distributed.
| ობიექტის ტიპი: | პატენტი |
|---|---|
| თემატიკა: | T Technology > T Technology (General) |
| ქვეგანყოფილება: | Faculties/Schools > School of Natural Sciences and Engineering |
| განმათავსებელი მომხმარებელი: | Professor Avtandil Tavkhelidze |
| განთავსების თარიღი: | 04 მაისი 2014 14:34 |
| ბოლო ცვლილება: | 02 აპრილი 2015 08:01 |
| URI: | http://eprints.iliauni.edu.ge/id/eprint/1411 |
Actions (login required)
 |
ობიექტის ნახვა |
