Method for modification of built in potential of diodes

Tavkhelidze A., Bibilashvili A, Cox R. T. (2012) Method for modification of built in potential of diodes. US patent 8,330,192.

[img] ტექსტი
Restricted to მხოლოდ რეგისტრირებული მომხმარებლებისთვის

Download (65kB) | ასლის შეკვეთა
Pages from US8330192.pdf

Download (15kB) | გადახედვა
ოფიციალური URL:


In broad terms the present invention is a semiconductor junction comprising a first material (102) and a second material (104), in which a surface of one or both of the junction materials has a periodically repeating structure that causes electron wave interference resulting in a change in the way electron energy levels within the junction are distributed.

ობიექტის ტიპი: პატენტი
თემატიკა: T Technology > T Technology (General)
ქვეგანყოფილება: Faculties/Schools > School of Natural Sciences and Engineering
განმათავსებელი მომხმარებელი: Professor Avtandil Tavkhelidze
განთავსების თარიღი: 08 მაისი 2014 09:29
ბოლო ცვლილება: 02 აპრილი 2015 07:58

Actions (login required)

ობიექტის ნახვა ობიექტის ნახვა