Artificial band gap

Tavkhelidze A., Edelson J. S., Cox I. W., Harbron S. (2004) Artificial band gap. US patent 6,680,214.

[img] ტექსტი
Restricted to მხოლოდ რეგისტრირებული მომხმარებლებისთვის

Download (910kB) | ასლის შეკვეთა
Pages from US6680214.pdf

Download (51kB) | გადახედვა
ოფიციალური URL:


A method is disclosed for the induction of a suitable band gap and electron emissive properties into a substance, in which the substrate is provided with a surface structure corresponding to the interference of electron waves. Lithographic or similar techniques are used, either directly onto a metal mounted on the substrate, or onto a mold which then is used to impress the metal. In a preferred embodiment, a trench or series of nano-sized trenches are formed in the metal.

ობიექტის ტიპი: პატენტი
თემატიკა: T Technology > T Technology (General)
ქვეგანყოფილება: Faculties/Schools > School of Natural Sciences and Engineering
განმათავსებელი მომხმარებელი: Professor Avtandil Tavkhelidze
განთავსების თარიღი: 08 მაისი 2014 09:28
ბოლო ცვლილება: 02 აპრილი 2015 07:37

Actions (login required)

ობიექტის ნახვა ობიექტის ნახვა