Tavkhelidze A., Edelson J. S., Cox I. W., Harbron S. (2004) Artificial band gap. US patent 6,680,214.
![[img]](http://eprints.iliauni.edu.ge/style/images/fileicons/text.png) |
ტექსტი
US6680214.pdf Restricted to მხოლოდ რეგისტრირებული მომხმარებლებისთვის Download (910kB) | ასლის შეკვეთა |
|
|
ტექსტი
Pages from US6680214.pdf Download (51kB) | გადახედვა |
ოფიციალური URL: http://patft.uspto.gov/netacgi/nph-Parser?Sect1=PT...
რეზიუმე
A method is disclosed for the induction of a suitable band gap and electron emissive properties into a substance, in which the substrate is provided with a surface structure corresponding to the interference of electron waves. Lithographic or similar techniques are used, either directly onto a metal mounted on the substrate, or onto a mold which then is used to impress the metal. In a preferred embodiment, a trench or series of nano-sized trenches are formed in the metal.
| ობიექტის ტიპი: | პატენტი |
|---|---|
| თემატიკა: | T Technology > T Technology (General) |
| ქვეგანყოფილება: | Faculties/Schools > School of Natural Sciences and Engineering |
| განმათავსებელი მომხმარებელი: | Professor Avtandil Tavkhelidze |
| განთავსების თარიღი: | 08 მაისი 2014 09:28 |
| ბოლო ცვლილება: | 02 აპრილი 2015 07:37 |
| URI: | http://eprints.iliauni.edu.ge/id/eprint/1450 |
Actions (login required)
 |
ობიექტის ნახვა |
