Quantum interference device

Bibilashvili A., Tavkhelidze A. (2009) Quantum interference device. US patent 7,566,897.

	ტექსტი US7566897.pdf Restricted to მხოლოდ რეგისტრირებული მომხმარებლებისთვის Download (414kB)
გადახედვა	ტექსტი Pages from US7566897.pdf Download (51kB) | გადახედვა

რეზიუმე

A quantum interference transistor comprising an source region for emitting electron waves into a vacuum, a drain region for collecting the electron waves, a repeating nanostructure in a region between the source and drain regions for introducing a constant phase shift between a plurality of electron waves, and a gate for controlling the phase shift introduced by the nanostructure; wherein the repeating nanostructure is characterized by having sharply defined geometric patterns or indents of a dimension that creates de Broglie wave interference.

ობიექტის ტიპი:	პატენტი
თემატიკა:	T Technology > T Technology (General)
ქვეგანყოფილება:	Faculties/Schools > School of Natural Sciences and Engineering
განმათავსებელი მომხმარებელი:	Professor Avtandil Tavkhelidze
განთავსების თარიღი:	08 მაისი 2014 09:26
ბოლო ცვლილება:	02 აპრილი 2015 07:49
URI:	http://eprints.iliauni.edu.ge/id/eprint/1434

Actions (login required)

ობიექტის ნახვა