Artificial band gap

Tavkhelidze A., Edelson J., Cox I., Harbron S (2011) Artificial band gap. US patent 7,935,954.

	ტექსტი US7935954B2.pdf Restricted to მხოლოდ რეგისტრირებული მომხმარებლებისთვის Download (158kB)
გადახედვა	ტექსტი Pages from US7935954B2.pdf Download (15kB) | გადახედვა

რეზიუმე

A method is disclosed for the induction of a suitable band gap and electron emissive properties into a substance, in which the substrate is provided with a surface structure corresponding to the interference of electron waves. Lithographic or similar techniques are used, either directly onto a metal mounted on the substrate, or onto a mold which then is used to impress the metal. In a preferred embodiment, a trench or series of nano-sized trenches are formed in the metal.

ობიექტის ტიპი:	პატენტი
თემატიკა:	T Technology > T Technology (General)
ქვეგანყოფილება:	Faculties/Schools > School of Natural Sciences and Engineering
განმათავსებელი მომხმარებელი:	Professor Avtandil Tavkhelidze
განთავსების თარიღი:	08 მაისი 2014 09:28
ბოლო ცვლილება:	02 აპრილი 2015 07:56
URI:	http://eprints.iliauni.edu.ge/id/eprint/1429

Actions (login required)

ობიექტის ნახვა